除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年，生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术，在福建晋江投资56.5亿美元（约77.09亿新元）建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年，美光在美国起诉晋华与联电，称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年，美国商务部又将晋华列入出口管制实体清单。
延伸阅读
中国最大闪存芯片制造商长江存储，在美国法院起诉美国存储芯片公司美光科技以及子公司侵犯其八项美国专利。
长江存储是中国最大的闪存芯片（3D NAND Flash）制造厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。
根据第一财经，NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造固态硬盘（SSD）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。
长江存储也在起诉书中称，长江存储不再是新秀，而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储称，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
第一财经星期六（11月11日）从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于星期四（11月9日）起诉美光及全资子公司美光消费产品集团侵犯其八项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。
美国商务部工业和安全局2022年10月发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制实体清单。
