据网上流传的梁孟松辞职声明，梁孟松表示，自2017年11月担任中芯国际联席CEO至今已有三年多，几乎从未休假，在其带领的2000多位工程师的尽心竭力的努力下，完成了中芯国际从28nm到7nm工艺的五个世代的技术开发。

言下之意是，这项人事变动并未提前与其进行充分沟通。梁孟松觉得非常的“错愕与不解”，觉得“已经不再被尊重与不被信任”，认为已不再需要他继续为公司前景打拼奋斗了。

目前，蒋尚义出任中芯国际副董事长的决议已经生效。梁孟松也已正式提交了辞呈。虽然董事会尚未批准梁孟松的辞呈，但是，从此番梁孟松的声明来看，似乎已无多少回旋余地。梁孟松的离开大概率将成定局。

至于为何在董事会上发布这份声明，梁孟松强调：“我并没有丝毫意图想要影响各位接下来对此人事任命的表决，但是我觉得我应该要让大家知道我内心最真切的感受。”

另外，根据之前的媒体报道，蒋尚义此番回来，是想要实现其“技术上的理想”，特别是在先进封装技术与小芯片技术（Chiplet）上。

其实，在梁孟松加盟中芯国际之后，业内就曾多次传出梁孟松与另一位联席CEO赵海军不和将要离职的传闻，但是董事长周子学在其中调和。

据梁孟松透露，目前中芯国际的“28nm、14nm、12nm及N+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已经完成，明年四月就可以马上进入风险量产。5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开， 只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段”。

蒋尚义想要推动的先进封装技术与小芯片技术方向，则相对不受制程上的限制，可在现有的制程下，通过先进封装和小芯片技术来实现芯片性能的提升。

综合cnBeta、澎湃新闻等报道，中芯国际15日公告，称蒋尚义获委任为公司第二类执行董事、董事会副董事长及战略委员会成员，自2020年12月15日起生效。蒋尚义曾于2016年12月20日至2019年6月21日担任公司独立非执行董事。

“公司应该对我这三年多的贡献给予全面公正的评价，而我应有接受和申诉的权利。”梁孟松在声明中写到。

对此，外界认为，原先蒋尚义曾于2016年12月20日至2019年6月21日担任中芯国际独立非执行董事，并不会插手公司的研发及运营管理，也并不属于担任联席CEO的梁孟松的上司，梁孟松也只需要向周子学汇报。

而现在，蒋尚义回来担任副董事长，等于梁孟松头上突然多了个顶头上司，而且还要向其汇报业务，这肯定会让本就心高气傲的梁孟松接受不了。

“我来中国大陆本来就不是为了谋取高官厚禄，只是单纯的想为大陆的高端集成电路尽一份心力。”梁孟松在辞职信中表示，“我的短期目标，似乎已经超预期、圆满的达成了……我可以暂时安心的休息片刻。”

显然，蒋尚义将会直接介入到中芯国际的研发当中，而这也正是原本由梁孟松所主导的。但是，梁孟松主要推进的技术方向是先进制程，而目前由于美国的限制，中芯国际发展先进制程受限，特别是EUV光刻机的无法到位，中芯国际将止步于7nm。

对于此次提出辞职的缘由，梁孟松表示，此次的蒋尚义出任中芯国际副董事长一职的人事变动，其是在12月9日才被董事长周子学告知，此前对此一无所知。

梁孟松强调，这是一般公司需要花10年以上时间才能完成的任务。

公告显示，蒋尚义任期自2020年12月15日起至公司2021年股东周年大会为止。根据公司组织章程细则第132条，蒋尚义须于2021年股东周年大会上接受公司股东重选，而如获重选后，其后须按照公司组织章程细则至少每三年一次轮值退任。

显然，在当前中芯国际发展先进制程被美国限制的背景之下，蒋尚义希望推进的技术方向可能更适合中芯国际，而这或许也正是梁孟松认为，中芯国际已经不需要他的原因。

但是，此次由于蒋尚义出任中芯国际副董事长的人事变动，直接导致梁孟松公开在董事会上提出辞职。

因此，梁孟松在公司董事会和股东会通过蒋尚义提名任职之后，正式提出了辞呈。

同日，有报道指梁孟松在同一场董事会上提出辞职，但中芯国际董事长周子学并未当场批准。

在中芯国际被纳斯达克剔除股指后，该公司高层人士出现变动，联合CEO梁孟松辞职，74岁蒋尚义回归任副董事长。

公告中的简历显示，蒋尚义现年74岁，1968年于国立台湾大学获电子工程学学士学位，1970年于普林斯顿大学获电子工程学硕士学位，1974年于斯坦福大学获电子工程学博士学位。毕业后，曾在德州仪器和惠普公司工作。其后，于1997年返回台湾，任台积电研发副总裁。于2013年底退休时，职位是共同首席运营官。之后，曾担任台积电董事长顾问、中芯国际独立非执行董事及武汉弘芯半导体制造有限公司首席执行官。

其在半导体工业界的45年中，曾参与研发CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、 SOS、 SOI、GaAs镭射、LED、电子束光刻、矽基太阳能电池等项目。其中，在台湾积体电路制造股份有限公司，牵头了0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm、90nm、 65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等关键节点的研发，使台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术引领者。